Оптические или так называемые малоазотные алмазы (их около 1% от всех алмазов) (около 150 кристаллов из различных месторождений России), использующихся в настоящее время в качестве материала для электронной техники, были изучены методом дифракционной рентгеновской топографии. В этих кристаллах были выявлены дефекты как ростового, так и эпигенетического деформационного происхождения. Показано, что большинство малоазотных алмазов испытали естественную пластическую деформацию. Среди них можно выделить следующие группы:
1. Кристаллы с низкой плотностью дислокаций (порядка 103-107 линий/см2). Для них были получены изображения индивидуальных дислокаций, выявлено их распределение по объему кристалла. Были выявлены как иизогнутые так и прямолинейные винтовые и смешанные 600 дислокации, а также дислокационные петли, клубки и диполи. Наблюдались дислокационные источники Франка-Рида.
2. Кристаллы с двумя зонами. В большинстве случаев плотность дислокаций в центральной зоне на несколько порядков ниже, чем в периферической. Согласно спектроскопичеким данным зоны с низкой дислокационной плотностью содержат относительно большее количество азотных примесей, которые способствуют упрочению кристалла.
3. Сильно пластически деформированные кристаллы с плотностью дислокаций свыше 107 линий/см2. Они имеюют характерную коричневую или розовую окраску. В них наблюдаются полосы скольжения, принадлежащие одной или нескольким системам скольжения по плоскостям {111}, а также отдельные разориентированные до 3020' блоки, формирующиеся по механизму возникновения и движения дисклинаций.
Среди ростовых дефектов в малоазотных алмазах были выявлены прямолинейные дислокации, зарождающиеся в центре кристалла или около зональных границ, столбчатые субиндивиды, зональные, секториальные и двойниковые границы и т.д. Они аналогичны ростовым дефектам в относительно обогащенных азотом алмазах.
Было установлено, что дефекты внутреннего строения могут оказывать заметное влияние на качество изготовляемых из них электронных приборов. В частности, для создания высококачественных детекторов ионизирующих излучений необходимо использовать малоазотные алмазы с дислокационной плотностью 103-106 линий/см2 и углом разориентации блоков до Оo30'.
Это сообщение отредактировал zin - 2.07.2009 - 18:39